Транзистор съвпадение?

[Syukri]

Здравейте ... аз съм нов човек тук,

В моя Бах.една теза хартия на проекта трябва да направят е да определят разположението на Diffrential усилвател ... Аз открих, че транзистор mathing е важно, за да получите добър изход.Мога ли да получа някакви съвети ....

Furthremore, в оформлението геометрични техника, проектиране, как мога да получа ниска консумация на енергия за дизайн OP-AMP.Може ли да се използват големи площ от поли

 

[news]

Zarządzanie bezpieczeństwem sieci firmowej w przypadku odległych oddziałów i filii firm wciąż stanowi spore wyzwanie. Dodatkowym utrudnieniem dla znalezienia odpowiednich, opłacalnych i łatwych do zarządzania rozwiązań są ograniczenia budżetowe oraz brak specjalistów IT w każdej filii.

Read more...

 

[sunny153]

Транзисторът съвпадение е добре, посочени в чл Разпределение на аналогови книга от Алън Hasting.

 

[SkyHigh]

Syukri,

1.В схематично ниво, вратовръзка-голямата част от NMOS транзистори на побратимени CE към безспорно.
2.В оформлението, проверете дали на NMOS транзистори са поставени в една и съща добре, споделят едни и същи дифузия / допинг / активен слой.
3.Проверете също така, че активното натоварване (източник на ток) е symmtrical и поли-Si връзки са успоредни и равно между активно натоварване и NMOS транзистори.

За да се намали консумацията на енергия,
1.намали аспект дажба на съвпадение на транзистори, т.е. намаляване W от L е фиксиран.
2.добави поли-Si резистор, всеки между източника на NMOS и общия възел CE опашката.
3.добавяне на текущите мивка, намаляване на съотношенията между активно натоварване.намаляване W.

 

[Humungus]

SkyHigh,

намаляване на W на transitors за дадени L влоши само съвпадение, тъй като зависи от 1/sqrt (WL)

Както и да е, но само за източници на ток, увеличаване на Ш не увеличава текущото потребление.Нещо повече, това прави транзистори да отиде в по-слаба inversio, които за разлика двойки увеличение GM и след това съвпадение.

Също така, може ли да обясни ефекта на свързване на източник на транзистори в маркировката с помощта на поли ивица?

 

[Syukri]

Благодаря много на Гай ....
Както и на размера на поли линия, която искам да кажа преди да е, че при изготвянето оформление, минималният размер на поли 2λ е, аз това означаваше, чрез увеличаване на λ

 

[starcoming]

1.можете да прочетете някои книги оформление
2.Можете да увеличите размера на транзистори за съответствие и deceasing λ (канал ефект дължина модулация), но си верига ще пострадат от увеличаване на parastic ефекти.

 

[baenisch]

Здрасти

Бих препоръчваме да използвате сляпо транзистори за въвеждане на чифт currentmirror
и currentsource.Погрижи се за metaldensity са равни по
транзистори.Прекарайте малко повече припокриване на кладенци за да се намали и proximitiy
ефект.Дизайн на транзистори по начин, че сегашната посока е в една и съща
посока.Това би трябвало да даде добри резултати силиций

Поздравления

Анди

 

[Guest]

Ако мога да добавя нещо друго.Обща медицентър е начин да отида добавяне на другите това, което ви казах.Ако имате нужда от най-малките компенсиране на входа и на най-добрите съчетаване (дори по-добре от нормалната общи медицентър) има дори по-добър начин да го направя.Тя се нарича втори ред обща медицентър

с уважение

 

[Franck]

1)
"втори ред обща медицентър"
Можем ли да има повече информация,?

2)
"сляпо транзистори за въвеждане двойка"
Отново, не е нужно манекени за въвеждане на чифт толкова дълго, колкото ти се правиш на обща медицентър.

Франк.

 

[Guest]

Franck написа:

1)

"втори ред обща медицентър"

Можем ли да има повече информация,?2)

"сляпо транзистори за въвеждане двойка"

Отново, не е нужно манекени за въвеждане на чифт толкова дълго, колкото ти се правиш на обща медицентър.Франк.

 

[GDF]

Humungus написа:

SkyHigh,намаляване на W на transitors за дадени L влоши само съвпадение, тъй като зависи от 1/sqrt (WL)Както и да е, но само за източници на ток, увеличаване на Ш не увеличава текущото потребление.
Нещо повече, това прави транзистори да отиде в по-слаба inversio, които за разлика двойки увеличение GM и след това съвпадение.Също така, може ли да обясни ефекта на свързване на източник на транзистори в маркировката с помощта на поли ивица?