C
chang830
Guest
Аз имам един въпрос относно резистор и симулация PVT.
В CMOS ми процес, има пет reistor видове, nwell, P , N , poly1, poly2.И подправка модел също дава три ъгли, т.е. бързо резистор, резистор бавно и типични резистор.Така че аз може да изберете тези три резистор ъгли в съчетание с други краища PVT за да търсите в случаите, санитарни възли.Но имам една загадка за него.За тези пет резистор видове, те са били извършени с различни имплантиране на различно време.Така че те трябва да се разглежда като независима и може да се отклонява в друга посока.Така че, ако ми блок се използват различни резистори, един е присъдено бързо, а друг е бавен, което може да предизвика най-лошия случай.Тогава защо подправка модел (в действителност, всички CMOS процес АЗ използван преди това) просто бърза, типични и бавен за всички пет вида резистори?Той Предполагам, че те се различават в една и съща посока?
Благодарности
В CMOS ми процес, има пет reistor видове, nwell, P , N , poly1, poly2.И подправка модел също дава три ъгли, т.е. бързо резистор, резистор бавно и типични резистор.Така че аз може да изберете тези три резистор ъгли в съчетание с други краища PVT за да търсите в случаите, санитарни възли.Но имам една загадка за него.За тези пет резистор видове, те са били извършени с различни имплантиране на различно време.Така че те трябва да се разглежда като независима и може да се отклонява в друга посока.Така че, ако ми блок се използват различни резистори, един е присъдено бързо, а друг е бавен, което може да предизвика най-лошия случай.Тогава защо подправка модел (в действителност, всички CMOS процес АЗ използван преди това) просто бърза, типични и бавен за всички пет вида резистори?Той Предполагам, че те се различават в една и съща посока?
Благодарности