Философски въпрос за Мосфета

[sharas]

Какво позволява да усилите, osfet?? Знам, че всички уравнения на малкия сигнал печалба и т.н., но аз все още не разбират напълно какво физични явления в един транзистор позволява amlifying входен сигнал? Същият въпрос е също е от значение за BJT. Бих рали обичам да чета вашите мисли по този въпрос.

 

[elec_student]

Виж в MOSFET за прилагане на подходяща напрежение порта, в сравнение с праг на напрежение на MOS, ток започва увеличава и по този начин усилване става.

 

[wchu01]

Ако на входа в Gate, която контролира ток, преминаващ през канал от Drain Източник. С увеличаване на портата напрежение, каналът ще бъде по-голям резултат в по-голям текущия диск. От транзистор уравнение, вие ще забележите, че увеличението в порта напрежение ще доведе до изтичане на сегашното увеличение, поради усилване е възможно. Това е моето вземе.

 

[sharas]

Момчета, кажи ми нещо, че аз все още не знаете!!

 

[Sceadwian]

Електрическо поле, който се прилага към портата с carefuly дрогирани и избран soure / източване на силициев слой (ите) ще доведе до електрически свойства на легирани правилно силиций леко да се променят. Истинската физика зад тези взаимодействия са по-далеч от мен, но аз предпочитам да мисля за него, по подобие на начина, по който едно човешко същество може да "усещате" статичен областта на нещо като генератор Vandegraf. Когато приложеното напрежение дори и при сравнително голямо разстояние завършва много на "смисъл" за материалите, за да реагират драстично, които произвеждат усилване. В случай на Vandegraph генератор на приложеното напрежение причинява косата на хората да се изправи на края и да се отблъскват взаимно, което ни дава за кратко време най-малко естествено чувство на силни електрически полета. Електрон и материални взаимодействия в MOSFET или подобно устройство са тихи малко по-сложна, отколкото тази, но това ми помага да мисля за него като обикновен статични електрически областта ефект, той просто ефекти, легирани силиций в много по-сложни начини.

 

[yjkwon57]

Hi ~ ~ Когато MOSFET работи в района на насищане, тя работи като източник на ток,. След това, ако добавите някои резистор на канала, а след това пада на напрежение ще се появи в канализацията. Ако се прилагат някои AC сигнал, както и ниво DC до портата, AC компонент на изтичането на напрежение ще се появи по-голяма от AC компонент на портата напрежение. Чао ~ ~

 

[tkbits]

Усилване използва този принцип: малко сигнал се използва за контрол голям източник на ток. Усилване не се случи с "порастването" или "разширяване". Това се случва чрез контролирано ограничение на източник на захранване. Това е причината, защо вакуумни тръби се наричат също "клапани".

 

[sharas]

Благодаря, tkbit. Вашият отговор ми е любима.

 

[A.Anand Srinivasan]

Всъщност устройства усилва сигнала само чрез ограничаване на ток и напрежение до определен лимит, въз основа на входа и по този начин силата на натоварване изготвя от адаптерите.

 

[nee_naresh04]

това, което знам, е единствената причина за усилване на всяко устройство е DC преднапрежение ... ние всички знаем, че енергия не може да бъде създаден или distroyed .. така че ако получава усилва до тогава текущата стойност на ВГВЗК напрежение ще намалее, .. това намаление на ток и енергия, доставена от DC преднапрежение ще са единствената причина за усилване ...

 

[hermin]

Просто мисля, че можете да контролирате ток от източника, за да се отцеди от промяна на напрежението върху портата. Да кажем, че портата напрежение, променя 0-1 волта, промяната в текущата на изтичане и източник ще се равнява на печалба, така че всеки малки промени на портата, голяма промяна за източване на източник ще съответства на това. Чувствайте се свободни да се коригира моето разбиране ...

 

[Nigger]

Мисля, че вашият въпрос е, защо транзистор трябва да бъде в насищане, когато го използвате като усилвател, ритуал ..?... Всъщност в седна. региона ID е пропорционална на квадрата на VGS което на практика означава стойността на проводимост е висока в сат. регион (можете да наблюдавате, че в криви ID срещу VGS за дълги устройства канал). Така че, защо малка промяна в VGS producues голяма промяна в ID в сравнение когато транзистор е в линейни региона.