Какво се случва с ток в MOSFET, когато температурата се намалява?

[vreddy]

Уот се случва с ток в MOSFET, когато температурата се намалява?? може ли някой да го изработи? /

 

[A.Anand Srinivasan]

зависимостта на Id от температурата е отрицателен и следователно, когато е налице увеличение в температурата на ток се увеличава и обратно .... това е, защо MOSFETS не страдат от термични план далеч .....

 

[dkace]

Тя е там в обяснението на модела: В слаба инверсия: Id = Im * Годен ((VGS-VM) / N * φt) * [(1-EXP (-Vds/φt), където Im = (W / L ) * Аз съм φt = (к * T) / Q В насищане: Id = (к / 2) * (VGS-VT) ² Vt = ВТО + γ (√ VSB + φo - √ φo), така че това по математика ние разберете, че зависимостта от фактор на температурата е малко complecated Според анализ Tsividis, зависимостта от температурата в силен inversionhas както следва: временно увеличение води до увеличаване на изтичането на ток за ниски токове и обратно за висок ток Ефективното мобилност се намалява с температура, но винаги зависи от текущото: високо или ниско DDD

 

[naaj_ila]

има толкова много ефекти, с температура С повишаване на температурата!) .. праг напрежение намалява като ефект на ток на утечка (когато транзисторът е изключен) се увеличава .... накратко от актуалния увеличение .. на текущата decreses Например, ако предполагам праг напрежението е 1 v. ако темп се е увеличил след това thres волтова спад до 0,7 V (да речем) .. с 0,7 транзистор ще бъде върху .. но всъщност тя трябва да бъде удържана .. независимо от ток, който тече по това волта ще бъде течове текущата го

 

[sim_333]

Може ли ф уточнява euquation, което дава каквито и да било доказателства за това поведение?

 

[naaj_ila]

[Цитат = sim_333] може и да се уточнява euquation, което дава никакви доказателства за това поведение? [/ Цитат] U може да се отнася Нийл weste е clearlt описани .. добре

 

[venky442]

eqn ООН (мобилност) = T ^ (-M) тук М = 2.7 за SI електрони m = 2,5 за дупки в SI. Vt (ефективни) = Vt Kt (T-T0) Kt - положителни температура постоянно Un (в сила) директно prortional Vt (ефективни), така че температурата се повишава, Id (източване ток) може да се увеличи. можете да видите това в промените в процес ъгъл отношение venkat Реди mtech (VLSI)