За използвайки 3 MOS моделиране на индуцираната порта шума на NMOS

[yorande]

Намирам този вид модел на standfords сайт,
от http://www.stanford.edu/class/ee314/ee314_models
и образеца subcircuit е както следва:
** Шумни NMOS модела (бележка: шумни PMOS модели не е посочен)
*************************************************
. subckt NNMOS VD vg срещу Vb w = 1.2ul = 0.35u SX NF = 1 = 1 = 1 DX

. Парам AS1 = 'SX * w / НУ 1U * * (НУ 1) / 2 "
. Парам AD1 = 'DX * W / НУ 1U * * (НУ 1) / 2 "
. Парам PS1 = 'SX * (1U * НУ
1 U W / НУ) "
. Парам PD1 = 'DX * (W / НУ
1 U) * (НУ 1) "
. Парам Rsq = 6

RG vg vgate "Rsq * W / (NF 3 * * * НУ л)"

М1 D1aux vgate срещу Vb cmosn W = 'W' L = 'L' AS = 'AS1 "АД =' AD1" PS = 'PS1 "PD =' PD1"

Vsens1 VD d1aux 0

М2 D2aux vgp1 0 b2 cmosn W = 'W' L = 'L' AS = 'AS1 "АД =' AD1" PS = 'PS1 "PD =' PD1"

Vsens2 d2 d2aux 0

E11 vgp1 aux2 nr1 0 -1
E12 d2 0 VD срещу 1
E13 b2 0 Vb срещу 1

C2 nr1 0 "W * 2N"
G1 nr1 0 nr1 0 10p

F11 d2 nr1 vsens2 1
F13 nr1 0 vsens1 1

М3 D3aux vgp2 0 B3 cmosn W = 'W' L = 'L' AS = 'AS1 "АД =' AD1" PS = 'PS1 "PD =' PD1"

Vsens3 D3 d3aux 0

E14 vgp2 aux3 NR2 0 -1
E15 D3 0 VD срещу 1
E16 B3 0 Vb срещу 1

В3 NR2 0 "W * 2N"
G2 NR2 0 NR2 0 10p

F12 D3 NR2 vsens3 1
F14 NR2 0 vsens1 1

Vsens4 aux2 0 0
Vsens5 aux3 0 0

F21 vgate срещу Поли (2) vsens4 vsens5 0 0,2818 -0,2818

. свършва

Но защо този модел може да предизвиква порта шум?
Всяка теория surpoort?
Благодаря.

 

[v_naren]

това наистина голямо намеря .... благодаря
млн.подробните explnation за това как подправка е излъгани да вярва на индуцираната портата на шума е налице, се обяснява най-ясно и красиво използвайки същата модел файл под съединение в книгата

http://www.edaboard.com/viewtopic.php?t=78884&highlight=shaefferнеговата невероятна, както и как биха могли да бъдат вашите ръце на този модел файл!

Много благодаря ...